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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 200 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 3A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 5V |
| rds activé (max) à id, vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 1mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs (max) | +6V, -4V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 573 pF @ 100 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | - |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | Die |
| paquet / étui | Die |
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