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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| fonctionnalité FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 30V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| rds activé (max) à id, vgs | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| puissance - max | - |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | Die |
| package d'appareils du fournisseur | Die |
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