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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| fonctionnalité FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 100V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 1.7A, 500mA |
| rds activé (max) à id, vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| puissance - max | - |
| température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 9-VFBGA |
| package d'appareils du fournisseur | 9-BGA (1.35x1.35) |
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