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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tension drain-source (vdss) | 80 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 10A (Ta) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 5V |
rds activé (max) à id, vgs | 20mOhm @ 6A, 5V |
vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 2mA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 2.2 nC @ 5 V |
vgs (max) | +6V, -4V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 238 pF @ 40 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | - |
température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | Die |
paquet / étui | Die |
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