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EPC2219

EPC2219

EPC2219

EPC

TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE

EPC2219 Fiche de données

compliant

EPC2219 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.38000 $1.38
500 $1.3662 $683.1
1000 $1.3524 $1352.4
1500 $1.3386 $2007.9
2000 $1.3248 $2649.6
2500 $1.311 $3277.5
9290 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (vdss) 65 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 500mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V
rds activé (max) à id, vgs 3.3Ohm @ 59mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 100µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.064 nC @ 5 V
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 10 pF @ 32.5 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur Die
paquet / étui Die
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Numéro de pièce associé

FDB14N30TM
FDB14N30TM
$0 $/morceau
STP36NF06L
STP36NF06L
$0 $/morceau
FDP5N50NZ
FDP5N50NZ
$0 $/morceau
IPB019N08N3GATMA1
RJ1U330AAFRGTL
IPW60R040CFD7XKSA1
HUF75345P3
HUF75345P3
$0 $/morceau
NDF08N50ZG
NDF08N50ZG
$0 $/morceau
IPD65R660CFD

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