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EPC8004

EPC8004

EPC8004

EPC

GANFET N-CH 40V 4A DIE

EPC8004 Fiche de données

non conforme

EPC8004 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $2.45000 -
27110 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 5V
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 500mA, 5V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 0.45 nC @ 5 V
vgs (max) +6V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 52 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur Die
paquet / étui Die
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Numéro de pièce associé

AOTS21115C
FDD6N20TM
FDD6N20TM
$0 $/morceau
EPC2032
EPC2032
$0 $/morceau
FDJ129P
FDJ129P
$0 $/morceau
STD35NF06T4
STD35NF06T4
$0 $/morceau
FQAF16N25
DMTH4008LFDFW-13
NTR4171PT1G
NTR4171PT1G
$0 $/morceau
SIHA17N80E-E3
SIHA17N80E-E3
$0 $/morceau
FQAF13N80
FQAF13N80
$0 $/morceau

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