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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| tension - courant continu inverse (vr) (max) | 1200 V |
| courant - moyen redressé (io) | 8A (DC) |
| tension - directe (vf) (max) @ if | 1.6 V @ 2.5 A |
| vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| temps de récupération inverse (trr) | 0 ns |
| courant - fuite inverse @ vr | 10 µA @ 1200 V |
| capacité à vr, f | 237pF @ 1V, 1MHz |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | TO-257-3 |
| package d'appareils du fournisseur | TO-257 |
| température de fonctionnement - jonction | -55°C ~ 250°C |
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