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1N8030-GA

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DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

1N8030-GA Fiche de données

compliant

1N8030-GA Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $181.92000 $181.92
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 650 V
courant - moyen redressé (io) 750mA
tension - directe (vf) (max) @ if 1.39 V @ 750 mA
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 5 µA @ 650 V
capacité à vr, f 76pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-257-3
package d'appareils du fournisseur TO-257
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 250°C
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Numéro de pièce associé

SK32AHM2G
UF1B R0G
IDP23E60
IDP23E60
$0 $/morceau
DL4936-13
DL4936-13
$0 $/morceau
SF18GHR1G
B150AF-13
B150AF-13
$0 $/morceau
RL153G
RL153G
$0 $/morceau

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