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GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

non conforme

GB01SLT12-252 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $1.22691 -
5,000 $1.18147 -
14648 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 1A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.8 V @ 1 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 2 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 69pF @ 1V, 1MHz
type de montage Surface Mount
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
package d'appareils du fournisseur TO-252
température de fonctionnement - jonction -55°C ~ 175°C
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Numéro de pièce associé

MURA210T3G
MURA210T3G
$0 $/morceau
SK32B-LTP
SK32B-LTP
$0 $/morceau
BAT54B5000
NSD914XV2T1G
NSD914XV2T1G
$0 $/morceau
BAS21W,115
BAS21W,115
$0 $/morceau
RD0506T-TL-H
RD0506T-TL-H
$0 $/morceau
NRTS15100PFST3G
NRTS15100PFST3G
$0 $/morceau
F1T5G

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