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GC11N65M

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N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

GC11N65M Fiche de données

compliant

GC11N65M Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.88000 $1.88
500 $1.8612 $930.6
1000 $1.8424 $1842.4
1500 $1.8236 $2735.4
2000 $1.8048 $3609.6
2500 $1.786 $4465
800 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 768 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 78W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IPD60R360P7SAUMA1
SQ4401EY-T1_GE3
STFW60N65M5
STFW60N65M5
$0 $/morceau
IXFT140N20X3HV
IXFT140N20X3HV
$0 $/morceau
FDC86244
FDC86244
$0 $/morceau
BSH207,135
BSH207,135
$0 $/morceau
SQP120N06-3M5L_GE3
FDN358P
FDN358P
$0 $/morceau
SPB18P06PGATMA1

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