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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tension drain-source (vdss) | 55 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | - |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 5V |
| rds activé (max) à id, vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.4V @ 100µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| vgs (max) | 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 290 pF @ 28 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 50W (Tj) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| package d'appareils du fournisseur | 8-CDIP-EP |
| paquet / étui | 8-CDIP Exposed Pad |
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