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BSC019N02KSGAUMA1

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MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

non conforme

BSC019N02KSGAUMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.99657 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 1.95mOhm @ 50A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.2V @ 350µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13000 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.8W (Ta), 104W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-1
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

AOD2N60A
FDB060AN08A0
FDB060AN08A0
$0 $/morceau
IPI80N06S2L11AKSA2
SSR2N60B
SI1308EDL-T1-BE3
RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A
$0 $/morceau
RVQ040N05HZGTR
DMP2047UCB4-7
BSZ42DN25NS3GATMA1
AOD7S65

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