Welcome to ichome.com!
Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Active |
type de FET | N-Channel |
technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Tension drain-source (vdss) | 40 V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 30A (Ta), 100A (Tc) |
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 10V |
rds activé (max) à id, vgs | 1.9mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 4V @ 85µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 108 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 8800 pF @ 20 V |
fonctionnalité FET | - |
puissance dissipée (max) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 |
paquet / étui | 8-PowerTDFN |
Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.