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BSC019N04NSGATMA1

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MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON

non conforme

BSC019N04NSGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.70269 -
10,000 $0.67931 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Ta), 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 85µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 108 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8800 pF @ 20 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-1
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

MCQ12N10Y-TP
NTLJS2103PTAG
NTLJS2103PTAG
$0 $/morceau
FDBL9406L-F085
FDBL9406L-F085
$0 $/morceau
SQD40N10-25_GE3
STB46N60M6
STB46N60M6
$0 $/morceau
FDFMA2N028Z
FDFMA2N028Z
$0 $/morceau
SQD10N30-330H_4GE3
IRFP460BPBF
IRFP460BPBF
$0 $/morceau
CSD22206W
CSD22206W
$0 $/morceau

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