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BSC061N08NS5ATMA1

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BSC061N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 82A TDSON

compliant

BSC061N08NS5ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.77234 -
10,000 $0.75614 -
1 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 80 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 82A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.1mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.8V @ 41µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2500 pF @ 40 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-7
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

BUK7880-55A/CUX
BSO220N03MSGXUMA1
IPD30N08S222ATMA1
FDMS86500DC
FDMS86500DC
$0 $/morceau
PMPB20UN,115
PMPB20UN,115
$0 $/morceau
R6009ENJTL
R6009ENJTL
$0 $/morceau
IPS60R600PFD7SAKMA1

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