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BSC084P03NS3GATMA1

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MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON

non conforme

BSC084P03NS3GATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.47182 -
10,000 $0.45408 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.1V @ 105µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4785 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-5
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

SIHP24N80AEF-GE3
IXFP60N25X3M
IXFP60N25X3M
$0 $/morceau
IPA65R1K5CEXKSA1
DMP2045UQ-13
FDMS10C4D2N
FDMS10C4D2N
$0 $/morceau
HUF76429D3
SQJ486EP-T1_BE3
SUD50N03-06AP-E3
IRFR9310PBF
IRFR9310PBF
$0 $/morceau
IRFD024PBF
IRFD024PBF
$0 $/morceau

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