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BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON

compliant

BSC100N03MSGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.27219 -
10,000 $0.26325 -
25,000 $0.25838 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 12A (Ta), 44A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 10mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1700 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-5
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

G3R12MT12K
SFW9Z34TM
RHK005N03FRAT146
PJD4NA65_L2_00001
NVTFS5C471NLWFTAG
NVTFS5C471NLWFTAG
$0 $/morceau
RM5N60S4
RM5N60S4
$0 $/morceau
IRF710B
IRF710B
$0 $/morceau
IRFR214PBF-BE3
IRFR214PBF-BE3
$0 $/morceau

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