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BSO615CT

BSO615CT

BSO615CT

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

BSO615CT Fiche de données

compliant

BSO615CT Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.1A, 2A
rds activé (max) à id, vgs 110mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 380pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
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Numéro de pièce associé

SI9926BDY-T1-GE3
SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3
$0 $/morceau
NTMFD4C85NT3G
NTMFD4C85NT3G
$0 $/morceau
SP8J66TB1
SP8J66TB1
$0 $/morceau
AON6936
DMN3012LDG-7
NVLJD4007NZTBG
NVLJD4007NZTBG
$0 $/morceau
SI7905DN-T1-E3
SI7905DN-T1-E3
$0 $/morceau
IRF8852TRPBF

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