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BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

BSO615NGHUMA1

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

non conforme

BSO615NGHUMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.44583 -
5,000 $0.42354 -
12,500 $0.40762 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2.6A
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 2V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 380pF @ 25V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
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Numéro de pièce associé

TPS2013APWR
TPS2013APWR
$0 $/morceau
ECH8660-S-TL-H
ECH8660-S-TL-H
$0 $/morceau
IRF9395MTRPBF
BSL214NL6327HTSA1
FDS8984-F085
FDS8984-F085
$0 $/morceau
AO4807_101
IRF7755GTRPBF
AOP610
IRF7901D1TRPBF
SP8K5TB
SP8K5TB
$0 $/morceau

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