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BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON

compliant

BSZ036NE2LSATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.36575 -
10,000 $0.35200 -
25,000 $0.35000 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 25 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 16A (Ta), 40A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1200 pF @ 12 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.1W (Ta), 37W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TSDSON-8-FL
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

SQJ152EP-T1_GE3
2SK3018T106
2SK3018T106
$0 $/morceau
STB80NF55-08AG
PSMN009-100P,127
IPA65R420CFDXKSA1
STW56N60M2-4
STW56N60M2-4
$0 $/morceau
IRFR120
IRFR120
$0 $/morceau
NVTFS6H860NLTAG
NVTFS6H860NLTAG
$0 $/morceau
BUK9616-75B,118
FDB86102LZ
FDB86102LZ
$0 $/morceau

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