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BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1

MOSFET N-CH 34V 9A/36A 8TSDSON

compliant

BSZ0909NSATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.23211 -
10,000 $0.22351 -
25,000 $0.21882 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 34 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta), 36A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 12mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1310 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.1W (Ta), 25W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TSDSON-8
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

IPD90R1K2C3ATMA1
IXTX22N100L
IXTX22N100L
$0 $/morceau
APT48M80L
APT48M80L
$0 $/morceau
CSD17381F4T
CSD17381F4T
$0 $/morceau
SI3457CDV-T1-E3
PMPB20XNEA,115
BUK7626-100B,118
AUIRFS3107-7P
BUK763R4-30B,118

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