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F423MR12W1M1B76BPSA1

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F423MR12W1M1B76BPSA1

MOSFET MODULE

non conforme

F423MR12W1M1B76BPSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 4 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (vdss) 1200V (1.2kV)
courant - consommation continue (id) à 25°c 45A (Tj)
rds activé (max) à id, vgs 22.5mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max) à id 5.55V @ 20mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 124nC @ 15V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3.68nF @ 800V
puissance - max -
température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Chassis Mount
paquet / étui Module
package d'appareils du fournisseur AG-EASY1B-2
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Numéro de pièce associé

AO4801AS
APTM20DUM10TG
FDMS3669S-SN00345
FDMS3669S-SN00345
$0 $/morceau
APTM120A65FT1G
APTC60DDAM45CT1G
LP8M3FP8TB1
LP8M3FP8TB1
$0 $/morceau
FDBL86210
VWM270-0075X2
VWM270-0075X2
$0 $/morceau
FDPC4044-P
FDPC4044-P
$0 $/morceau

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