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IMBF170R650M1XTMA1

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IMBF170R650M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

compliant

IMBF170R650M1XTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.94000 $7.94
500 $7.8606 $3930.3
1000 $7.7812 $7781.2
1500 $7.7018 $11552.7
2000 $7.6224 $15244.8
2500 $7.543 $18857.5
690 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1700 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.4A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 12V, 15V
rds activé (max) à id, vgs 650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (max) à id 5.7V @ 1.7mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 12 V
vgs (max) +20V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 422 pF @ 1000 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 88W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7-13
paquet / étui TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Numéro de pièce associé

MTP1N50E
MTP1N50E
$0 $/morceau
SPU02N60S5XK
GA50JT12-247
HUF75639P3
HUF75639P3
$0 $/morceau
AUIRL1404ZS
APT8020B2FLLG
CSD17577Q3A
CSD17577Q3A
$0 $/morceau
IRFR9210PBF
IRFR9210PBF
$0 $/morceau

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