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IMBG120R350M1HXTMA1

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IMBG120R350M1HXTMA1

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

compliant

IMBG120R350M1HXTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $9.71000 $9.71
500 $9.6129 $4806.45
1000 $9.5158 $9515.8
1500 $9.4187 $14128.05
2000 $9.3216 $18643.2
2500 $9.2245 $23061.25
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4.7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 468mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (max) à id 5.7V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.9 nC @ 18 V
vgs (max) +18V, -15V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 196 pF @ 800 V
fonctionnalité FET Standard
puissance dissipée (max) 65W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7-12
paquet / étui TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Numéro de pièce associé

BTS244ZE3062ANTMA1
VMO580-02F
VMO580-02F
$0 $/morceau
BSS119NH6327XTSA1
SI6415DQ-T1-GE3
SI1401EDH-T1-BE3
PJQ2416_R1_00001
FDD6630A
FDD6630A
$0 $/morceau
IXTH140N075L2
IXTH140N075L2
$0 $/morceau
PSMN013-30MLC,115
2N7002E-T1-GE3
2N7002E-T1-GE3
$0 $/morceau

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