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IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R048M1HXTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $15.71000 $15.71
500 $15.5529 $7776.45
1000 $15.3958 $15395.8
1500 $15.2387 $22858.05
2000 $15.0816 $30163.2
2500 $14.9245 $37311.25
1000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

NDCTR05120A
NDCTR05120A
$0 $/morceau
NVMYS020N08LHTWG
NVMYS020N08LHTWG
$0 $/morceau
DMN6069SFGQ-7
SQS462EN-T1_BE3
DMN4020LFDEQ-7
R6504ENXC7G
R6504ENXC7G
$0 $/morceau
SQJQ142E-T1_GE3
IXTT40N50L2-TRL
IXTT40N50L2-TRL
$0 $/morceau
G29
G29
$0 $/morceau

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