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IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R072M1HXTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $13.25000 $13.25
500 $13.1175 $6558.75
1000 $12.985 $12985
1500 $12.8525 $19278.75
2000 $12.72 $25440
2500 $12.5875 $31468.75
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

FDMS0355S
DMTH6009SPS-13
NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1
$0 $/morceau
IRF723
IRF723
$0 $/morceau
BUK752R3-40E,127
DMP2006UFGQ-13
DMT10H9M9SK3-13

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