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IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

IMBG65R260M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

compliant

IMBG65R260M1HXTMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $7.40000 $7.4
500 $7.326 $3663
1000 $7.252 $7252
1500 $7.178 $10767
2000 $7.104 $14208
2500 $7.03 $17575
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

DMTH6012LPSW-13
NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG
$0 $/morceau
IPTG025N10NM5ATMA1
STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/morceau
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/morceau
FDC697P
FDC697P
$0 $/morceau
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/morceau
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3

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