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IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1

IMW65R027M1HXKSA1

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

compliant

IMW65R027M1HXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $28.06000 $28.06
500 $27.7794 $13889.7
1000 $27.4988 $27498.8
1500 $27.2182 $40827.3
2000 $26.9376 $53875.2
2500 $26.657 $66642.5
286 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c 47A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

HUFA76639P3
APTM100UM45DAG
FDP6670AL
AUIRFB4410
PJD7NA65_R2_00001
RM10N100LD
RM10N100LD
$0 $/morceau
NX7002BKSX
NX7002BKSX
$0 $/morceau
E3M0075120D
E3M0075120D
$0 $/morceau
SCT3030KLGC11
SIHG15N80AE-GE3

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