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IMZ120R090M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1

IMZ120R090M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

compliant

IMZ120R090M1HXKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $15.13000 $15.13
500 $14.9787 $7489.35
1000 $14.8274 $14827.4
1500 $14.6761 $22014.15
2000 $14.5248 $29049.6
2500 $14.3735 $35933.75
1196 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (vdss) 1200 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 26A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 15V, 18V
rds activé (max) à id, vgs 117mOhm @ 8.5A, 18V
vgs(th) (max) à id 5.7V @ 3.7mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 18 V
vgs (max) +23V, -7V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 707 pF @ 800 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 115W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO247-4-1
paquet / étui TO-247-4
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Numéro de pièce associé

FDB8443
FDB8443
$0 $/morceau
FKV550N
FKV550N
$0 $/morceau
FDP083N15A-F102
FDP083N15A-F102
$0 $/morceau
SIUD402ED-T1-GE3
APT20M18LVFRG
IXFH74N20P
IXFH74N20P
$0 $/morceau
FQI11N40TU
SI4420BDY-T1-E3
NVMFS5C670NLWFAFT3G
NVMFS5C670NLWFAFT3G
$0 $/morceau
STB9NK90Z
STB9NK90Z
$0 $/morceau

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