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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Tension drain-source (vdss) | 650 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 26A (Tc) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | 18V |
| rds activé (max) à id, vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V |
| vgs(th) (max) à id | 5.7V @ 3.3mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 19 nC @ 18 V |
| vgs (max) | +20V, -2V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 624 pF @ 400 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | 104W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| type de montage | Through Hole |
| package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-4-3 |
| paquet / étui | TO-247-4 |
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