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IPA60R360CFD7XKSA1

IPA60R360CFD7XKSA1

IPA60R360CFD7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 5A TO220

compliant

IPA60R360CFD7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.91470 $1.9147
500 $1.895553 $947.7765
1000 $1.876406 $1876.406
1500 $1.857259 $2785.8885
2000 $1.838112 $3676.224
2500 $1.818965 $4547.4125
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 360mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 140µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 679 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 23W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220 Full Pack
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IXFA4N100Q
IXFA4N100Q
$0 $/morceau
RD3U080CNTL1
RD3U080CNTL1
$0 $/morceau
SIHLL110TR-GE3
SIHLL110TR-GE3
$0 $/morceau
FQB47P06TM-AM002
FQB47P06TM-AM002
$0 $/morceau
FCH47N60N
FCH47N60N
$0 $/morceau
NTMT090N65S3HF
NTMT090N65S3HF
$0 $/morceau
SI1401EDH-T1-GE3
LND150N3-G-P002

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