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IPA65R045C7XKSA1

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IPA65R045C7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP

non conforme

IPA65R045C7XKSA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
500 $8.33866 $4169.33
389 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 18A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1.25mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4340 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 35W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur PG-TO220-FP
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV
$0 $/morceau
FKI07174
FKI07174
$0 $/morceau
IRFBC30APBF-BE3
IPP065N03LG
IRLZ34PBF-BE3
IRLZ34PBF-BE3
$0 $/morceau
DMTH8003SPS-13
SQS481ENW-T1_GE3
NTMS5P02R2
NTMS5P02R2
$0 $/morceau
SCTWA30N120
SCTWA30N120
$0 $/morceau

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