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IPB049NE7N3GATMA1

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IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

non conforme

IPB049NE7N3GATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.24617 -
2,000 $1.16023 -
5,000 $1.11726 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 75 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.8V @ 91µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4750 pF @ 37.5 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IXTA4N150HV-TRL
IXTA4N150HV-TRL
$0 $/morceau
PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ
$0 $/morceau
IXFA7N80P
IXFA7N80P
$0 $/morceau
BUK6D125-60EX
BUK6D125-60EX
$0 $/morceau
IXTQ36P15P
IXTQ36P15P
$0 $/morceau
IPD80R3K3P7ATMA1
STP6N90K5
STP6N90K5
$0 $/morceau
IPC70N04S5L4R2ATMA1
TPIC5223LD
TPIC5223LD
$0 $/morceau
SIL08N03-TP
SIL08N03-TP
$0 $/morceau

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