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IPB05N03LB

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

non conforme

IPB05N03LB Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 40µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3209 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 94W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SKI07171
SKI07171
$0 $/morceau
IPI100N04S303AKSA1
IRF7468PBF
IRF3707ZS
IRF3707ZS
$0 $/morceau
2SK3481-AZ
IXFP8N65X2M
IXFP8N65X2M
$0 $/morceau
R5007ANJTL
R5007ANJTL
$0 $/morceau
BUK6Y12-30PX
BUK6Y12-30PX
$0 $/morceau
NDTL01N60ZT3G
NDTL01N60ZT3G
$0 $/morceau
AO4476AL

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