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IPB100N04S204ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

compliant

IPB100N04S204ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 100A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.3mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 172 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

GA06JT12-247
FDD86380-F085
FDD86380-F085
$0 $/morceau
NVMFS5C404NWFT1G-M
NVMFS5C404NWFT1G-M
$0 $/morceau
IRFU3711
IRFU3711
$0 $/morceau
IRLZ44ZS
IRLZ44ZS
$0 $/morceau
FDMS7560S
IRF7811AVTRPBF
IRF7452
IRF7452
$0 $/morceau
IRF737LC
IRF737LC
$0 $/morceau
FQU7N10LTU
FQU7N10LTU
$0 $/morceau

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