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IPB120N06S403ATMA1

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IPB120N06S403ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

compliant

IPB120N06S403ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.01442 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 120µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 13150 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 167W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
BSL207SP
$0 $/morceau
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/morceau
IRF620L
IRF620L
$0 $/morceau
IRFP4332-203PBF
BSP321PL6327HTSA1
NDS9407_G
NDS9407_G
$0 $/morceau
BSP316PE6327T
HUFA76413P3
HUFA76413P3
$0 $/morceau

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