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IPB160N04S203ATMA1

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IPB160N04S203ATMA1

MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

compliant

IPB160N04S203ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 160A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 2.9mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5300 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7-3
paquet / étui TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Numéro de pièce associé

STB11NM60-1
STB11NM60-1
$0 $/morceau
IRF9Z34STRL
IRF9Z34STRL
$0 $/morceau
IRFZ46NL
IRFZ46NL
$0 $/morceau
SI7384DP-T1-E3
SI7384DP-T1-E3
$0 $/morceau
IPD90N06S4L05ATMA1
NTB90N02
NTB90N02
$0 $/morceau
NTD4815NH-35G
NTD4815NH-35G
$0 $/morceau
MTW7N80E
MTW7N80E
$0 $/morceau
IPD042P03L3GBTMA1

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