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IPB17N25S3100ATMA1

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IPB17N25S3100ATMA1

MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3

compliant

IPB17N25S3100ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.86688 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 250 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 17A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 100mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 54µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1500 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 107W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTTFS4929NTWG
NTTFS4929NTWG
$0 $/morceau
SIHB15N60E-GE3
SIHB15N60E-GE3
$0 $/morceau
IXTH12N65X2
IXTH12N65X2
$0 $/morceau
SIHP21N65EF-GE3
NVMJS1D7N04CTWG
NVMJS1D7N04CTWG
$0 $/morceau
SQP120P06-6M7L_GE3
FDMA8878
FDMA8878
$0 $/morceau
STP14NF10
STP14NF10
$0 $/morceau
BG5120KE6327
RSS070N05HZGTB

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