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IPB180N06S4H1ATMA2

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IPB180N06S4H1ATMA2

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

compliant

IPB180N06S4H1ATMA2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $2.18665 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 180A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 21900 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 250W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-7
paquet / étui TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Numéro de pièce associé

NTD600N80S3Z
NTD600N80S3Z
$0 $/morceau
R6504END3TL1
R6504END3TL1
$0 $/morceau
AOU3N60
STP3NK60ZFP
STP3NK60ZFP
$0 $/morceau
FDS86267P
FDS86267P
$0 $/morceau
NVJS4151PT1G
NVJS4151PT1G
$0 $/morceau

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