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IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

IPB34CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 27A D2PAK

compliant

IPB34CN10NGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 27A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 34mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 29µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1570 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 58W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTDV3055L104T4G
NTDV3055L104T4G
$0 $/morceau
IRFP22N60C3PBF
IRFP22N60C3PBF
$0 $/morceau
IPP90R1K0C3XKSA1
IXFT14N100
IXFT14N100
$0 $/morceau
IRFHS8342TR2PBF
IPP04N03LB G
BSP123E6327T
NTMFS4834NT1G
NTMFS4834NT1G
$0 $/morceau
IPW60R0706P
ZVN2106GTC
ZVN2106GTC
$0 $/morceau

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