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IPB45N06S4L08ATMA1

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IPB45N06S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

non conforme

IPB45N06S4L08ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.55725 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 45A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 7.9mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 35µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4780 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 71W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

MCQ4410-TP
MCQ4410-TP
$0 $/morceau
IRFR3704TRR
IXTT12N140
IXTT12N140
$0 $/morceau
SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3
$0 $/morceau
IRFR15N20DTRLP
STFI9N60M2
STFI9N60M2
$0 $/morceau
BSP298H6327XUSA1
SUM110N04-2M3L-E3

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