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IPB50CN10NGATMA1

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IPB50CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

compliant

IPB50CN10NGATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 20µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1090 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 44W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

ISC0805NLSATMA1
NVMFS5C646NLAFT3G
NVMFS5C646NLAFT3G
$0 $/morceau
SI3447CDV-T1-E3
IXTA300N04T2-7
IXTA300N04T2-7
$0 $/morceau
NVMTS0D7N04CTXG
NVMTS0D7N04CTXG
$0 $/morceau
STW65N80K5
STW65N80K5
$0 $/morceau
TN0702N3-G
TN0702N3-G
$0 $/morceau
DMN62D1LFB-7B
RM12N100LD
RM12N100LD
$0 $/morceau
IPA60R199CPXKSA1

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