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IPB60R380P6ATMA1

IPB60R380P6ATMA1

IPB60R380P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK

compliant

IPB60R380P6ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.6A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 380mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 320µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 877 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 83W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

STW23NM60N
STW23NM60N
$0 $/morceau
SPB80P06P
SPB80P06P
$0 $/morceau
BUZ42
BUZ42
$0 $/morceau
MCH6436-TL-W
MCH6436-TL-W
$0 $/morceau
NDS355AN-F169
IRF8113TR
IRF8113TR
$0 $/morceau
STP14NF12
STP14NF12
$0 $/morceau
SI4346DY-T1-E3
SI4346DY-T1-E3
$0 $/morceau
SPB80N03S2-03

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