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IPB65R045C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK

non conforme

IPB65R045C7ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $7.76328 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 46A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 1.25mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4340 pF @ 400 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 227W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRL620STRR
IRL620STRR
$0 $/morceau
NVMFS6B05NWFT3G
NVMFS6B05NWFT3G
$0 $/morceau
SIHS36N50D-E3
SIHS36N50D-E3
$0 $/morceau
STP5N62K3
STP5N62K3
$0 $/morceau
IRLW510ATM
IRLW510ATM
$0 $/morceau
IRL2505STRRPBF
FDB8878
FDB8878
$0 $/morceau
IXTA80N10T7
IXTA80N10T7
$0 $/morceau
2SJ546-E
IPD03N03LB G

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