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IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

IPB65R065C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

compliant

IPB65R065C7ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $4.64011 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7.3A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 557 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 171W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

IRF9Z24NSPBF
SI1022R-T1-E3
SI1022R-T1-E3
$0 $/morceau
AON6518
CPH3448-TL-H
CPH3448-TL-H
$0 $/morceau
IRL540STRR
IRL540STRR
$0 $/morceau
5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E
$0 $/morceau
STD25P03LT4G
STD25P03LT4G
$0 $/morceau
AOL1414
IPI052NE7N3 G

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