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IPB80N06S2H5ATMA1

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IPB80N06S2H5ATMA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2H5ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 230µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4400 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 300W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

FQA13N80
SPD30N08S2L-21
IPD068N10N3GBTMA1
IRFU3706
IRFU3706
$0 $/morceau
NVMFS6B85NLT3G
NVMFS6B85NLT3G
$0 $/morceau
PHD18NQ10T,118
PHD18NQ10T,118
$0 $/morceau
SPB08P06PGATMA1
IRF540A
IRF540A
$0 $/morceau
SUM120N04-1M7L-GE3
SI1011X-T1-GE3
SI1011X-T1-GE3
$0 $/morceau

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