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IPB80N06S2L09ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

IPB80N06S2L09ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
Call $Call -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.2mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 125µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 105 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2620 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 190W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

APT94N65B2C3G
STD30NE06LT4
STD30NE06LT4
$0 $/morceau
IRFP4232PBF
NTF3055L175T3
NTF3055L175T3
$0 $/morceau
IRFPC50
IRFPC50
$0 $/morceau
RSD140P06TL
RSD140P06TL
$0 $/morceau
MCU12P06-TP
MCU12P06-TP
$0 $/morceau
STP5NK65Z
STP5NK65Z
$0 $/morceau
IPI65R660CFDXKSA1
BSP300H6327XUSA1

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