Welcome to ichome.com!

logo
Maison

IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

non conforme

IPB80N06S4L07ATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $0.47835 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Discontinued at Digi-Key
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 80A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 40µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5680 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 79W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

STF8NM50N
STF8NM50N
$0 $/morceau
DMP2022LSS-13
IPL65R070C7AUMA1
IPA60R380E6XKSA1
PMG85XP,115
PMG85XP,115
$0 $/morceau
APT34F100B2
FQAF44N10
IPP60R600P7XKSA1
NTR3C21NZT1G
NTR3C21NZT1G
$0 $/morceau
FDI9406-F085

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.