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IPD038N06N3GATMA1

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MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

non conforme

IPD038N06N3GATMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.76831 -
5,000 $0.72989 -
12,500 $0.70245 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 90A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 3.8mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 90µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 8000 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 188W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SI2306BDS-T1-BE3
NTMFS4833NT3G
NTMFS4833NT3G
$0 $/morceau
STL19N65M5
STL19N65M5
$0 $/morceau
FCMT250N65S3
FCMT250N65S3
$0 $/morceau
NTP2955G
NTP2955G
$0 $/morceau
FDMS86580-F085
FDMS86580-F085
$0 $/morceau
IPB80P04P4L08ATMA2
MSC025SMA120B
5LP01SP
5LP01SP
$0 $/morceau
FDPF55N06
FDPF55N06
$0 $/morceau

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