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IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

IPD15N06S2L64ATMA2

MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31

compliant

IPD15N06S2L64ATMA2 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.29013 -
5,000 $0.27012 -
12,500 $0.26012 -
25,000 $0.25466 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 55 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 64mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) à id 2V @ 14µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 354 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 47W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-11
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

HUFA75645S3S
5HN01M-TL-H
5HN01M-TL-H
$0 $/morceau
FQU5P20TU
FQU5P20TU
$0 $/morceau
FQA28N15
FQA28N15
$0 $/morceau
STY112N65M5
STY112N65M5
$0 $/morceau
NDFP03N150CG
NDFP03N150CG
$0 $/morceau
DMTH10H015SK3-13
NVD4806NT4G
NVD4806NT4G
$0 $/morceau
IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV
$0 $/morceau
SIHP12N60E-GE3
SIHP12N60E-GE3
$0 $/morceau

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