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IPD26DP06NMSAUMA1

IPD26DP06NMSAUMA1

IPD26DP06NMSAUMA1

MOSFET P-CH 60V TO252-3

compliant

IPD26DP06NMSAUMA1 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-313
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

SIA810DJ-T1-E3
SIA810DJ-T1-E3
$0 $/morceau
NTMFS4C022NT3G
NTMFS4C022NT3G
$0 $/morceau
IRLR7843PBF
PHM18NQ15T,518
PHM18NQ15T,518
$0 $/morceau
STB30NM50N
STB30NM50N
$0 $/morceau
BSZ0911LSATMA1
IRF7453TRPBF
AOI472A
SI5463EDC-T1-GE3

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